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IRFR120N 사양 : HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.21 Ohm, ID = 9.4A
IRFR120N 유사
- IRFR024N
- Power MOSFET, 55V, 17A
- IRFR120N
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.21 Ohm, ID = 9.4A
- IRFR120N
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.21 Ohm, ID = 9.4A
- IRFR13N15D
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 150V, RDS(on) = 0.18 Ohm, ID = 14A
- IRFR13N20D
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.235 Ohm, ID = 13A
- IRFR210
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 1.5 Ohm, ID = 2.6A
- IRFR210
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 1.5 Ohm, ID = 2.6A
- IRFR214
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 250V, RDS(on) = 2.0 Ohm, ID = 2.2A
IRFR120N Datasheet 및 사양
제조사 : IR
포장 : TO-252AA
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 175 °C
파일크기 : 156 KB
응용 프로그램 : HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.21 Ohm, ID = 9.4A
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