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IRFP2907 사양 : HEXFET power MOSFET. VDSS = 75 V, RDS(on) = 4.5 mOhm, ID = 209 A
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IRFP2907 사양 : HEXFET power MOSFET. VDSS = 75 V, RDS(on) = 4.5 mOhm, ID = 209 A
제조사 : IR
포장 : TO-247AC
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 175 °C
파일크기 : 126 KB
응용 프로그램 : HEXFET power MOSFET. VDSS = 75 V, RDS(on) = 4.5 mOhm, ID = 209 A