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IRFIB6N60A 사양 : HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 0.75 Ohm, ID = 5.5 A
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IRFIB6N60A 사양 : HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 0.75 Ohm, ID = 5.5 A
제조사 : IR
포장 : TO-220 FULLPAK
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 163 KB
응용 프로그램 : HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 0.75 Ohm, ID = 5.5 A