경로 :OKDatasheet > 반도체업체순위 > IR Datasheet > IRFI520N
IRFI520N 사양 : HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 7.6 A
경로 :OKDatasheet > 반도체업체순위 > IR Datasheet > IRFI520N
IRFI520N 사양 : HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 7.6 A
제조사 : IR
포장 : TO-220 FULLPAK
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 175 °C
파일크기 : 146 KB
응용 프로그램 : HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 7.6 A