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IRFD210 사양 : HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 1.5 Ohm, ID = 0.60 A
IRFD210 유사
- IRFD014
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 1.7A
- IRFD024
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 0.10 Ohm, ID = 2.5A
- IRFD110
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 1.0 A
- IRFD120
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.27 Ohm, ID = 1.3 A
- IRFD210
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 1.5 Ohm, ID = 0.60 A
- IRFD214
- HEXFET power MOSFET
- IRFD220
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.80 Ohm, ID = 0.80 A
- IRFD224
- HEXFET power MOSFET
IRFD210 Datasheet 및 사양
제조사 : IR
포장 : HD-1
팡 : 4
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 190 KB
응용 프로그램 : HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 1.5 Ohm, ID = 0.60 A
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