경로 :OKDatasheet > 반도체업체순위 > IR Datasheet > IRF5803D2
IRF5803D2 사양 : FETKY MOSFET & schottky diode. VDSS = -40V, RDS(on) = 112 mOhm, schottky Vf = 0.51V
IRF5803D2 유사
- IRF510
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 5.6A
- IRF510S
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 5.6A
- IRF520N
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 9.7A
- IRF520NL
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 9.7A
- IRF520NS
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 9.7A
- IRF520VL
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.165 Ohm, ID = 9.6A
- IRF520VS
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.165 Ohm, ID = 9.6A
- IRF5210
- HEXFET power MOSFET. VDSS = -100V, RDS(on) = 0.06 Ohm, ID = -40A
IRF5803D2 Datasheet 및 사양
제조사 : IR
포장 : SO
팡 : 8
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 139 KB
응용 프로그램 : FETKY MOSFET & schottky diode. VDSS = -40V, RDS(on) = 112 mOhm, schottky Vf = 0.51V
다운로드를 IRF5803D2