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IRC540 사양 : HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 28A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 100V. Drain-to-source on-resistance 0.077Ohm
IRC540 Datasheet 및 사양
제조사 : IR
포장 : TO-220
팡 : 5
온도 : 분 -55 °C | 맥스 175 °C
파일크기 : 244 KB
응용 프로그램 : HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 28A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 100V. Drain-to-source on-resistance 0.077Ohm
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