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GS8160E32T-200I 사양 : 6.5ns 200MHz 512K x 32 synchronous burst SRAM
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GS8160E32T-200I 사양 : 6.5ns 200MHz 512K x 32 synchronous burst SRAM
제조사 : GSI
포장 : TQFP
팡 : 100
온도 : 분 -40 °C | 맥스 85 °C
파일크기 : 862 KB
응용 프로그램 : 6.5ns 200MHz 512K x 32 synchronous burst SRAM