ECF10N25 사양 : N-channel lateral MOSFET. High power 125 W. Drain-source voltage 250V. Storage temperature range.

ECF10N25 유사

ECF10N25
- N-channel lateral MOSFET. High power 125 W. Drain-source voltage 250V. Storage temperature range.
ECF10P25
- P-channel lateral MOSFET. High power 125 W. Drain-source voltage 250V. Storage temperature range.

ECF10N25 Datasheet 및 사양

제조사 : EXICON

포장 : TO3

팡 : 3

온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C

파일크기 : 70 KB

응용 프로그램 : N-channel lateral MOSFET. High power 125 W. Drain-source voltage 250V. Storage temperature range.