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CTA2N1P-7 사양 : 60V; 150mW complex transistor array. Guard ring construction for transient protection
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CTA2N1P-7 사양 : 60V; 150mW complex transistor array. Guard ring construction for transient protection
제조사 : Diodes
포장 : SOT-363
팡 : 6
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 67 KB
응용 프로그램 : 60V; 150mW complex transistor array. Guard ring construction for transient protection