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BAS70H-06 사양 : 70V; 200mA silicon schottky barrier diode. PN junction guard ring for transient and ESD protection
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BAS70H-06 사양 : 70V; 200mA silicon schottky barrier diode. PN junction guard ring for transient and ESD protection
제조사 : Diodes
포장 : SOT-23
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 125 °C
파일크기 : 65 KB
응용 프로그램 : 70V; 200mA silicon schottky barrier diode. PN junction guard ring for transient and ESD protection