DB4 사양 : Silicon bidirectional DIAC. Breakover voltage(typ) 40 V. Repetitive peak in-state current 2.0 A.

DB4 유사

DB4
- Silicon bidirectional DIAC. Breakover voltage(typ) 40 V. Repetitive peak in-state current 2.0 A.

DB4 Datasheet 및 사양

포장 : DO-35

팡 : 2

온도 : 분 -40 °C | 맥스 110 °C

파일크기 : 118 KB

응용 프로그램 : Silicon bidirectional DIAC. Breakover voltage(typ) 40 V. Repetitive peak in-state current 2.0 A.