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PHB9N60E 사양 : PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
PHB9N60E 유사
- PHB96NQ03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB98N03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB9N60E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHB9NQ20T
- N-channel TrenchMOS transistor
PHB9N60E Datasheet 및 사양
제조사 : Philips
포장 : SOT404
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 45 KB
응용 프로그램 : PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
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