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PHB6N60E 사양 : 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB6N60E 유사
- PHB60N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB60N06LT
- TrenchMOS transistor Logic level FET
- PHB60N06T
- TrenchMOS transistor Standard level FET
- PHB65N06LT
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PHB6N60E Datasheet 및 사양
제조사 : Philips
포장 : SOT
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 81 KB
응용 프로그램 : 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
다운로드를 PHB6N60E