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IRF830 사양 : 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated
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IRF830 사양 : 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated
제조사 : Philips
포장 : SOT
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 63 KB
응용 프로그램 : 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated